集成電子材料研究進展

集成電子材料研究進展

李言榮，張萬里，劉興釗，朱俊等

(電子科技大學 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，四川 成都 610054)

　　摘 要：本報告首先分析了當前我國電子信息產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀，特別是電子材料與元器件行業(yè)的狀況，結(jié)合國際電子信息技術(shù)的發(fā)展趨勢，闡述了研究集成電子材料的重要意義，主要介紹了介電/GaN 集成電子薄膜生長控制與性能研究情況。如采用TiO2(誘導層)/MgO(阻擋層)的組合緩沖層方法控制介電/GaN 集成薄膜薄膜生長取向、界面擴散，保護GaN 基半導體材料的性能，降低介電/GaN 集成薄膜界面態(tài)密度，建立界面可控的相容性生長方法。通過集成結(jié)構(gòu)的設(shè)計與加工，研制出介電增強型GaN HEMT 器件和高耐壓GaN 功率器件原型，以及一體化的集成微波電容、變?nèi)莨�、壓控振蕩器、混頻器等新型元器件。

　　關(guān)鍵詞: 薄膜技術(shù)，電子材料，電子器件