一種電子碰撞型離子源性能的數(shù)值模擬研究

2013-04-02 張文臺 蘭州空間技術物理研究所

一種電子碰撞型離子源性能的數(shù)值模擬研究

張文臺 郭美如

(蘭州空間技術物理研究所，甘肅 蘭州 730000)

　　摘 要：電子碰撞離子源的聚焦和離子引出效率對其工作性能有著重要影響。本文采用SIMION-3D 8.0 軟件建立了一種電子碰撞型離子源模型，計算了離子的運動軌跡，采用相空間分析方法，得到靜電透鏡聚焦處離子的位置聚焦半徑和速度聚焦半徑，分析了離子源各參數(shù)對聚焦和離子引出效率的影響。

　　研究結果表明當S 和α狹縫分別加負偏壓時，離子束在運動過程中能夠兩次聚焦，從而得到很好的聚焦性能和引出效率，本文為離子源優(yōu)化設計提供重要的理論依據(jù)和實驗指導。