C60分子在石墨烯/釕表面生長(zhǎng)行為的研究

2013-04-29 李 更 中國科學(xué)院物理研究所

　　在室溫下，C60 分子在完美的石墨烯/釕摩爾斑點(diǎn)結(jié)構(gòu)上公度生長(zhǎng)會(huì)形成一種周期大約為3 nm 的超結(jié)構(gòu)。未充分退火的石墨烯/釕樣品表面有著各種各樣的缺陷，在這樣的基底上C60 分子依然排列成為周期性密堆的結(jié)構(gòu)而不受樣品表面臺(tái)階、缺陷以及起伏的影響。

　　這些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象說明在石墨烯/釕表面C60分子間的相互作用強(qiáng)于分子與基底的相互作用，從而主導(dǎo)了C60 分子的生長(zhǎng)行為。DFT 計(jì)算也證實(shí)了結(jié)論。

　　本文的工作對(duì)于研究石墨烯/釕表面的超結(jié)構(gòu)以及未來全碳電子器件可能會(huì)有一定的幫助。